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TP0610K-T1-GE3 Vishay

发布时间2021-12-28 16:04:00关键词:TP0610K-T1-GE3
摘要

TP0610K-T1-GE3 Vishay

TP0610K-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 185 mA

Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 1.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 350 mW

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

正向跨导 - 最小值: 80 mS

产品类型: MOSFET

系列: TP0

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 35 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

零件号别名: TP0610K-GE3

单位重量: 8 mg